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村田的高密度矽電容器，通過應用半導體的MOS工藝實現三維化，大幅增加電容器表面積，從而提高了基闆單位面積的靜電容量。

适合的市場細分
網絡相關（RF功率放大器、寬帶通信）、高可靠性用途、醫療、汽車、通信。

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矽電容器的FAQ

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[視頻] Murata 3D Silicon Capacitors

最高工作溫度200℃的汽車用矽電容器

可薄至100μm的矽電容器

最高工作溫度250℃的引線鍵合用矽電容器

醫療用矽電容器

支持60GHz+的嵌入/引線鍵合用矽電容器

WLSC系列

可薄至100μm的引線鍵合用上下電極矽電容器

UWSC系列

支持26GHz+的引線鍵合用上下電極矽電容器

XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列

支持100GHz+的表面封裝矽電容器

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WBSC / WTSC / WXSC系列

最高工作溫度250℃的引線鍵合用上下電極矽電容器

UESL系列

可薄至85μm的超低ESL矽電容器

EMSC系列

可薄至100μm的引線鍵合/嵌入用矽電容器

HTSC / XTSC系列

最高工作溫度250℃的矽電容器

HSSC系列

高穩定性高可靠性矽電容器

UBDC系列

超寬帶表面貼裝型差分矽電容器對組

矽電容器的選擇指南


	厚度	标準 (150℃)	高溫	高頻	低ESL
焊裝	85µm				UESL (Typically 15pH)
	100µm	LPSC		XBSC (100GHz+) UBSC (60GHz+) BBSC (40GHz) ULSC (20GHz)
	400µm	HSSC	HTSC (200℃) XTSC (250℃)	XBSC (100GHz+) UBSC (60GHz+) BBSC (40GHz) ULSC (20GHz)
引線鍵合（上下電極）	100µm	WLSC		UWSC (26GHz+) (down to 10pH)
引線鍵合（上下電極）	250µm	WBSC	WTSC (200℃) WXSC (250℃)	UWSC (26GHz+) (down to 10pH)
引線鍵合（嵌入）（水平電極）	100µm	EMSC MGSC		UBEC (60GHz+) BBEC (40GHz) ULEC (20GHz)
引線鍵合（嵌入）（水平電極）	250µm		ETSC (200℃) EXSC (250℃) ATSC (200℃）

用途

汽車	寬帶通信	RF功率放大器
高可靠性	醫療	RFID
信号完整性	所有應用程序

村田依靠引領世界的技術，極為靈活地将High-Q電感、電阻、平面MIM電容器、巴倫用溝槽MOS電容器、PLL環路濾波器、低通濾波器、RC濾波器、饋線去藕裝置等各種被動元件組合起來，提供給客戶。

此項技術也提供利用與MOS半導體完全兼容的後工序技術集成被動元件的平台，并且可以應用于SIP，利用其他技術（CMOS和MEMS等）進行多片模塊和倒裝片的異質集成。

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